Tim Universitas Peking mengembangkan perangkat listrik berbasis GaN dengan tegangan tembus lebih dari 10.000 volt

Menghadapi tantangan yang ditimbulkan oleh efek perangkap medan tinggi dan efek agregasi medan listrik, tim peneliti dari Universitas Peking mengusulkan jenis baru transistor pasivasi aktif dan berhasil mengembangkan perangkat daya berbasis GaN mode peningkatan dengan tegangan rusaknya lebih besar dari 10.000 volt. Pencapaian ini merupakan yang pertama di dunia dan sangat penting untuk mempromosikan penerapan perangkat listrik berbasis GaN.