Pasukan Universiti Peking membangunkan peranti kuasa berasaskan GaN dengan voltan kerosakan lebih besar daripada 10,000 volt

Menghadapi cabaran yang ditimbulkan oleh kesan perangkap medan tinggi dan kesan pengagregatan medan elektrik, pasukan penyelidik dari Universiti Peking mencadangkan jenis transistor pempasifan aktif baharu dan berjaya membangunkan peranti kuasa berasaskan GaN mod peningkatan dengan voltan kerosakan lebih daripada 10,000 volt. Pencapaian ini adalah yang pertama seumpamanya di dunia dan sangat penting untuk mempromosikan aplikasi peranti kuasa berasaskan GaN.