צוות אוניברסיטת פקין מפתח מכשיר כוח מבוסס GaN עם מתח פריצה של יותר מ-10,000 וולט

מול האתגרים שמציבים השפעות של מלכודת בשדה גבוה והשפעות צבירה של שדות חשמליים, צוות מחקר מאוניברסיטת פקין הציע סוג חדש של טרנזיסטור פסיביות אקטיבי ופיתח בהצלחה מכשיר כוח מבוסס GaN במצב שיפור עם מתח פריצה של יותר מ-10,000 וולט. הישג זה הוא הראשון מסוגו בעולם והוא בעל משמעות רבה לקידום היישום של התקני כוח מבוססי GaN.