Peking Universiteit-span ontwikkel GaN-gebaseerde kragtoestel met afbreekspanning groter as 10 000 volt

Gekonfronteer met die uitdagings wat deur hoë-veld lokval-effekte en elektriese veld-aggregasie-effekte gestel word, het 'n navorsingspan van die Universiteit van Peking 'n nuwe tipe aktiewe passiveringstransistor voorgestel en suksesvol 'n verbeteringsmodus GaN-gebaseerde kragtoestel ontwikkel met 'n afbreekspanning groter as 10 000 volts. Hierdie prestasie is die eerste van sy soort in die wêreld en is van groot betekenis vir die bevordering van die toepassing van GaN-gebaseerde kragtoestelle.