Equipo Universidad de Pekín omoheñói dispositivo de potencia basado GaN orekóva tensión de ruptura tuichavéva 10.000 voltios

Oñembohovái umi desafío omotenondéva umi efecto trampa campo alto ha umi efecto agregación campo eléctrico, peteî equipo de investigación Universidad de Pekín opropone tipo pyahu transistor de pasivación activa ha omoheñói exitosamente peteî dispositivo de potencia basado en modo mejoramiento orekóva tensión de ruptura tuichavéva 10.000 voltios rehegua. Ko jehupytyrã ha’e peteĩha ko’ãichagua ko yvy ape ári ha tuicha mba’e omokyre’ỹ haguã aplicación umi dispositivo de potencia basado GaN-pe.