북경대학교 연구팀, GaN 기반 전력소자 기술 병목현상 돌파

지난 5년 동안 북경대학교 집적회로대학 연구팀과 집적회로 첨단혁신센터는 주파수 병목 현상, 신뢰성 병목 현상, 내전압 병목 현상 등 GaN 기반 전력 장치의 세 가지 주요 기술 과제를 성공적으로 해결했습니다. . 혁신적인 방법을 통해 고전압 브리지 통합과 저전압 CMOS 통합을 달성하고 10,000V GaN 기반 고전압 장치를 개발했습니다. 이러한 연구 결과는 전 세계적으로 선도적인 위치에 있으며, 국제 전자기기 학회에 5편의 수준 높은 논문이 게재되었습니다.