Pekingin yliopiston tutkimusryhmä murtaa GaN-pohjaisten teholaitteiden teknisen pullonkaulan

Viimeisten viiden vuoden aikana Pekingin yliopiston Integrated Circuits Schoolin ja Integroitujen piirien Advanced Innovation Centerin tutkimusryhmä on ratkaissut onnistuneesti GaN-pohjaisten teholaitteiden kolme suurta teknistä haastetta: taajuuspullonkaula, luotettavuuspullonkaula ja jännitteenkestävyys pullonkaula. . Innovatiivisilla menetelmillä he saavuttivat korkeajännitteisen siltaintegroinnin ja pienjännitteisen CMOS-integroinnin ja kehittivät 10 000 voltin GaN-pohjaisia ​​suurjännitelaitteita. Nämä tutkimustulokset ovat johtavassa asemassa maailmanlaajuisesti ja kansainvälisissä elektroniikkalaitekonferensseissa on julkaistu viisi laadukasta julkaisua.