Η ερευνητική ομάδα του Πανεπιστημίου του Πεκίνου ξεπερνά το τεχνικό σημείο συμφόρησης των συσκευών ισχύος που βασίζονται σε GaN

Τα τελευταία πέντε χρόνια, η ερευνητική ομάδα της Σχολής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων του Πανεπιστημίου του Πεκίνου και του Advanced Innovation Center of Integrated Circuits έχει λύσει με επιτυχία τις τρεις κύριες τεχνικές προκλήσεις των συσκευών ισχύος που βασίζονται σε GaN: συμφόρηση συχνότητας, συμφόρηση αξιοπιστίας και συμφόρηση αντοχής τάσης . Μέσω καινοτόμων μεθόδων, πέτυχαν ενσωμάτωση γέφυρας υψηλής τάσης και ενσωμάτωση CMOS χαμηλής τάσης και ανέπτυξαν συσκευές υψηλής τάσης βασισμένες σε GaN 10.000 volt. Αυτά τα ερευνητικά αποτελέσματα βρίσκονται σε ηγετική θέση παγκοσμίως και πέντε εργασίες υψηλής ποιότητας έχουν δημοσιευθεί σε διεθνή συνέδρια ηλεκτρονικών συσκευών.