Forskningsteamet ved Peking University bryter gjennom den tekniske flaskehalsen for GaN-baserte kraftenheter

I løpet av de siste fem årene har forskerteamet ved School of Integrated Circuits ved Peking University og Advanced Innovation Center of Integrated Circuits vellykket løst de tre store tekniske utfordringene til GaN-baserte kraftenheter: frekvensflaskehals, pålitelighetsflaskehals og spenningsmotstandsflaskehals . Gjennom innovative metoder oppnådde de høyspentbrointegrasjon og lavspent CMOS-integrasjon, og utviklet 10 000 volt GaN-baserte høyspentenheter. Disse forskningsresultatene har en ledende posisjon globalt, og fem høykvalitetsartikler har blitt publisert på internasjonale elektroniske enhetskonferanser.