Raziskovalna skupina pekinške univerze prebija tehnično ozko grlo napajalnih naprav na osnovi GaN

V zadnjih petih letih je raziskovalna skupina šole za integrirana vezja Univerze v Pekingu in naprednega inovacijskega centra za integrirana vezja uspešno rešila tri glavne tehnične izzive napajalnih naprav na osnovi GaN: frekvenčno ozko grlo, ozko grlo zanesljivosti in ozko grlo napetostne odpornosti . Z inovativnimi metodami so dosegli visokonapetostno integracijo mostov in nizkonapetostno integracijo CMOS ter razvili 10.000-voltne visokonapetostne naprave na osnovi GaN. Ti rezultati raziskav so na vodilnem položaju v svetu in pet visokokakovostnih člankov je bilo objavljenih na mednarodnih konferencah o elektronskih napravah.