ပီကင်းတက္ကသိုလ် သုတေသနအဖွဲ့သည် GaN အခြေပြု ဓာတ်အားပေးစက်များ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ ပိတ်ဆို့မှုများကို ဖြတ်ကျော်ခဲ့သည်။

လွန်ခဲ့သည့်ငါးနှစ်အတွင်း၊ ပီကင်းတက္ကသိုလ်၏ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းများကျောင်းနှင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းများအဆင့်မြင့်တီထွင်ဆန်းသစ်မှုစင်တာမှ GaN အခြေခံပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ အဓိကနည်းပညာဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုသုံးရပ်ကို အောင်မြင်စွာဖြေရှင်းနိုင်သည်- ကြိမ်နှုန်းပိတ်ဆို့မှု၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတွင် ပိတ်ဆို့မှုများနှင့် ဗို့အားပိတ်ဆို့မှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေခဲ့သည်။ . ဆန်းသစ်သောနည်းလမ်းများဖြင့် ၎င်းတို့သည် ဗို့အားမြင့်တံတားပေါင်းစည်းမှုနှင့် ဗို့အားနိမ့် CMOS ပေါင်းစပ်မှုတို့ကို အောင်မြင်ခဲ့ပြီး 10,000-ဗို့ GaN အခြေခံ ဗို့အားမြင့်ကိရိယာများကို တီထွင်ခဲ့သည်။ အဆိုပါ သုတေသနရလဒ်များသည် ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းတွင် ထိပ်တန်းအဆင့်တွင် ရပ်တည်နေပြီး နိုင်ငံတကာ အီလက်ထရွန်နစ်စက်ကွန်ဖရင့်များတွင် အရည်အသွေးမြင့် စာတမ်းငါးစောင်ကို ထုတ်ဝေခဲ့သည်။