Nhóm nghiên cứu của Đại học Bắc Kinh phá vỡ nút thắt kỹ thuật của các thiết bị điện dựa trên GaN

Trong 5 năm qua, nhóm nghiên cứu của Trường Mạch tích hợp thuộc Đại học Bắc Kinh và Trung tâm Đổi mới Tiên tiến về Mạch tích hợp đã giải quyết thành công ba thách thức kỹ thuật lớn của các thiết bị điện dựa trên GaN: tắc nghẽn tần số, tắc nghẽn về độ tin cậy và tắc nghẽn chịu được điện áp . Thông qua các phương pháp đổi mới, họ đã đạt được sự tích hợp cầu điện áp cao và tích hợp CMOS điện áp thấp, đồng thời phát triển các thiết bị điện áp cao dựa trên GaN 10.000 volt. Những kết quả nghiên cứu này đang ở vị trí hàng đầu trên toàn cầu và 5 bài báo chất lượng cao đã được công bố tại các hội nghị về thiết bị điện tử quốc tế.