Гуангдонг Хецотецх (Схункинг) пројекат полупроводника потписан у Нанцхонгу

Гуангдонг Хецотецх (Схункинг) полупроводнички дискретни уређај и чип отпорник Р&Д и производни пројекат је успешно потписан у Нанцхонгу, са укупном инвестицијом од 5 милијарди јуана. Пројекат се гради у две фазе, са улагањем од 1,5 милијарди јуана у првој фази. Очекује се да ће годишње производити више од 10 милијарди полупроводничких уређаја.