日立とSagar Semi、SiC/IGBTなどのデバイスの共同開発で提携

日立グループの子会社である日立パワーセミコンダクタ（HPSD）は、インドのSagar Semiconductors（Sagar Semi）社と、IGBTやSiCなどの高出力デバイスや高出力デバイスの研究開発・販売を共同で行う協力協定を締結した。高電圧ダイオードの技術移転。サーガーセミは高電圧パワー半導体工場の建設を計画しており、日立パワーセミコンダクターは前工程・後工程全体の関連設備および関連製造技術の移転を検討することで合意した。さらに、日立パワーセミコンダクターは、Sagar Semi のインドと日本における従業員の研修も支援し、将来的には工場の年間生産能力が 1 億個に達する予定です。両社は、白物家電、エネルギー貯蔵ソリューション、鉄道などの業界に焦点を当て、インドの新興技術向けにSiC/IGBTなどのオーダーメイドのパワー半導体ソリューションの開発に注力していきます。