Hitachi und Sagar Semi vereinbaren eine Zusammenarbeit zur gemeinsamen Entwicklung von SiC/IGBT und anderen Geräten

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), eine Tochtergesellschaft der Hitachi Group, hat eine Kooperationsvereinbarung mit dem indischen Unternehmen Sagar Semiconductors (Sagar Semi) unterzeichnet, um gemeinsam Forschung, Entwicklung und Vertrieb von Hochleistungsgeräten wie IGBT und SiC durchzuführen der Technologietransfer von Hochspannungsdioden. Sagar Semi plant den Bau einer Hochspannungs-Leistungshalbleiterfabrik, und Hitachi Power Semiconductor hat zugestimmt, die Übertragung zugehöriger Anlagen und zugehöriger Fertigungstechnologien für die gesamten Front-End- und Back-End-Prozesse in Betracht zu ziehen. Darüber hinaus wird Hitachi Power Semiconductor Sagar Semi auch bei der Schulung seiner Mitarbeiter in Indien und Japan unterstützen. Die jährliche Produktionskapazität der Fabrik wird künftig 100 Millionen Einheiten erreichen. Die beiden Unternehmen werden sich auf die Entwicklung maßgeschneiderter Leistungshalbleiterlösungen wie SiC/IGBT für neue Technologien in Indien konzentrieren und sich dabei auf Branchen wie Haushaltsgeräte, Energiespeicherlösungen und Eisenbahnen konzentrieren.