Hitachi et Sagar Semi ont conclu une coopération pour développer conjointement SiC/IGBT et d'autres dispositifs

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), une filiale du groupe Hitachi, a signé un accord de coopération avec la société indienne Sagar Semiconductors (Sagar Semi) pour mener conjointement la recherche, le développement et la vente de dispositifs haute puissance tels que l'IGBT et le SiC, ainsi que le transfert de technologie des diodes haute tension. Sagar Semi prévoit de construire une usine de semi-conducteurs de puissance haute tension, et Hitachi Power Semiconductor a accepté d'envisager de transférer les installations et les technologies de fabrication associées pour l'ensemble des processus front-end et back-end. En outre, Hitachi Power Semiconductor aidera également Sagar Semi à former ses employés en Inde et au Japon. À l'avenir, la capacité de production annuelle de l'usine atteindra 100 millions d'unités. Les deux sociétés se concentreront sur le développement de solutions de semi-conducteurs de puissance sur mesure telles que SiC/IGBT pour les technologies émergentes en Inde, en se concentrant sur des secteurs tels que les produits blancs, les solutions de stockage d'énergie et les chemins de fer.