Hitachi og Sagar Semi indgår samarbejde om i fællesskab at udvikle SiC/IGBT og andre enheder

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), et datterselskab af Hitachi Group, har underskrevet en samarbejdsaftale med Indiens Sagar Semiconductors (Sagar Semi) om i fællesskab at udføre forskning og udvikling og salg af højeffektenheder som IGBT og SiC, samt teknologioverførsel af højspændingsdioder. Sagar Semi planlægger at bygge en højspændingskrafthalvlederfabrik, og Hitachi Power Semiconductor har indvilliget i at overveje at overføre relaterede faciliteter og relaterede produktionsteknologier til hele front-end- og back-end-processerne. Derudover vil Hitachi Power Semiconductor også hjælpe Sagar Semi med at træne sine medarbejdere i Indien og Japan. I fremtiden vil fabrikkens årlige produktionskapacitet nå op på 100 millioner enheder. De to virksomheder vil fokusere på at udvikle skræddersyede strømhalvlederløsninger såsom SiC/IGBT til nye teknologier i Indien, med fokus på industrier som hårde hvidevarer, energilagringsløsninger og jernbaner.