Hitachi en Sagar Semi zijn een samenwerking aangegaan om gezamenlijk SiC/IGBT en andere apparaten te ontwikkelen

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), een dochteronderneming van Hitachi Group, heeft een samenwerkingsovereenkomst getekend met het Indiase Sagar Semiconductors (Sagar Semi) om gezamenlijk onderzoek, ontwikkeling en verkoop uit te voeren van apparaten met hoog vermogen, zoals IGBT en SiC, evenals de technologieoverdracht van hoogspanningsdiodes. Sagar Semi is van plan een halfgeleiderfabriek voor hoogspanningsvermogen te bouwen, en Hitachi Power Semiconductor heeft ermee ingestemd om de overdracht van gerelateerde faciliteiten en gerelateerde productietechnologieën voor de volledige front-end- en back-end-processen te overwegen. Daarnaast zal Hitachi Power Semiconductor Sagar Semi ook helpen bij het opleiden van zijn werknemers in India en Japan. In de toekomst zal de jaarlijkse productiecapaciteit van de fabriek 100 miljoen eenheden bereiken. De twee bedrijven zullen zich richten op de ontwikkeling van op maat gemaakte vermogenshalfgeleideroplossingen zoals SiC/IGBT voor opkomende technologieën in India, waarbij de nadruk zal liggen op sectoren als witgoed, energieopslagoplossingen en spoorwegen.