Hitachi och Sagar Semi har nått ett samarbete för att gemensamt utveckla SiC/IGBT och andra enheter

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), ett dotterbolag till Hitachi Group, har tecknat ett samarbetsavtal med Indiens Sagar Semiconductors (Sagar Semi) för att gemensamt bedriva forskning och utveckling och försäljning av högeffektsenheter som IGBT och SiC, samt tekniköverföring av högspänningsdioder. Sagar Semi planerar att bygga en högspänningskrafthalvledarfabrik, och Hitachi Power Semiconductor har gått med på att överväga att överföra relaterade anläggningar och relaterad tillverkningsteknik för hela front-end- och back-end-processerna. Hitachi Power Semiconductor kommer dessutom att hjälpa Sagar Semi att utbilda sina anställda i Indien och Japan. I framtiden kommer den årliga produktionskapaciteten för fabriken att nå 100 miljoner enheter. De två företagen kommer att fokusera på att utveckla skräddarsydda krafthalvledarlösningar som SiC/IGBT för framväxande teknologier i Indien, med fokus på industrier som vitvaror, energilagringslösningar och järnvägar.