Hitachi y Sagar Semi cooperan para desarrollar conjuntamente SiC/IGBT y otros dispositivos

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), una filial del Grupo Hitachi, ha firmado un acuerdo de cooperación con la india Sagar Semiconductors (Sagar Semi) para llevar a cabo conjuntamente la investigación, el desarrollo y la venta de dispositivos de alta potencia como IGBT y SiC, así como la transferencia de tecnología de diodos de alto voltaje. Sagar Semi planea construir una fábrica de semiconductores de potencia de alto voltaje, y Hitachi Power Semiconductor acordó considerar la transferencia de instalaciones y tecnologías de fabricación relacionadas para todos los procesos de front-end y back-end. Además, Hitachi Power Semiconductor también ayudará a Sagar Semi a capacitar a sus empleados en India y Japón. En el futuro, la capacidad de producción anual de la fábrica alcanzará los 100 millones de unidades. Las dos empresas se centrarán en el desarrollo de soluciones de semiconductores de potencia a medida, como SiC/IGBT, para tecnologías emergentes en la India, centrándose en industrias como la de electrodomésticos, soluciones de almacenamiento de energía y ferrocarriles.