Hitachi a Sagar Semi erreechen Kooperatioun fir zesummen SiC / IGBT an aner Geräter z'entwéckelen

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), eng Duechtergesellschaft vun der Hitachi Group, huet e Kooperatiounsofkommes mat den indeschen Sagar Semiconductors (Sagar Semi) ënnerschriwwen fir zesummen d'Fuerschung an d'Entwécklung a Verkaf vun High-Power Geräter wéi IGBT a SiC auszeféieren, souwéi den Technologietransfer vun Héichspannungsdioden. Sagar Semi plangt eng Héichspannungskraaft-Halbleiterfabréck ze bauen, an Hitachi Power Semiconductor huet vereinfacht fir d'Iwwerdroung vun verbonnen Ariichtungen a verbonne Fabrikatiounstechnologien fir déi ganz Front-End- a Back-End Prozesser ze berécksiichtegen. Zousätzlech hëlleft Hitachi Power Semiconductor och Sagar Semi seng Mataarbechter an Indien a Japan ze trainéieren. Déi zwee Firme konzentréieren sech op d'Entwécklung vu Mooss-Maacht-Halbleiterléisungen wéi SiC / IGBT fir opkomende Technologien an Indien, konzentréiere sech op Industrien wéi Wäisswueren, Energiespeicherléisungen a Eisebunn.