Hitachi și Sagar Semi au ajuns la o cooperare pentru a dezvolta împreună SiC/IGBT și alte dispozitive

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), o subsidiară a Hitachi Group, a semnat un acord de cooperare cu Sagar Semiconductors din India (Sagar Semi) pentru a desfășura în comun cercetarea, dezvoltarea și vânzările de dispozitive de mare putere precum IGBT și SiC, precum și transferul de tehnologie al diodelor de înaltă tensiune. Sagar Semi plănuiește să construiască o fabrică de semiconductori de putere de înaltă tensiune, iar Hitachi Power Semiconductor a fost de acord să ia în considerare transferul de facilități aferente și tehnologii de producție aferente pentru întregul proces front-end și back-end. În plus, Hitachi Power Semiconductor va ajuta și Sagar Semi să își formeze angajații din India și Japonia. În viitor, capacitatea de producție anuală a fabricii va ajunge la 100 de milioane de unități. Cele două companii se vor concentra pe dezvoltarea de soluții personalizate de semiconductori de putere, cum ar fi SiC/IGBT, pentru tehnologiile emergente din India, concentrându-se pe industrii precum produsele albe, soluțiile de stocare a energiei și căile ferate.