Hitachi un Sagar Semi ir panākuši sadarbību, lai kopīgi izstrādātu SiC/IGBT un citas ierīces

Hitachi Group meitasuzņēmums Hitachi Power Semiconductor (HPSD) ir parakstījis sadarbības līgumu ar Indijas kompāniju Sagar Semiconductors (Sagar Semi), lai kopīgi veiktu tādu lieljaudas ierīču kā IGBT un SiC izpēti un izstrādi un pārdošanu, kā arī augstsprieguma diožu tehnoloģiju pārnese. Sagar Semi plāno būvēt augstsprieguma jaudas pusvadītāju rūpnīcu, un Hitachi Power Semiconductor ir piekritis apsvērt saistīto iekārtu un saistīto ražošanas tehnoloģiju nodošanu visiem priekšgala un aizmugures procesiem. Turklāt Hitachi Power Semiconductor arī palīdzēs Sagar Semi apmācīt savus darbiniekus Indijā un Japānā. Nākotnē rūpnīcas ražošanas jauda sasniegs 100 miljonus vienību. Abi uzņēmumi koncentrēsies uz īpaši pielāgotu jaudas pusvadītāju risinājumu, piemēram, SiC/IGBT, izstrādi jaunām tehnoloģijām Indijā, koncentrējoties uz tādām nozarēm kā sadzīves tehnika, enerģijas uzglabāšanas risinājumi un dzelzceļi.