Hitachi in Sagar Semi sta sklenila sodelovanje za skupen razvoj SiC/IGBT in drugih naprav

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), hčerinska družba Hitachi Group, je podpisala pogodbo o sodelovanju z indijsko družbo Sagar Semiconductors (Sagar Semi) za skupno izvajanje raziskav, razvoja in prodaje visokozmogljivih naprav, kot sta IGBT in SiC, ter prenos tehnologije visokonapetostnih diod. Sagar Semi načrtuje izgradnjo tovarne visokonapetostnih močnostnih polprevodnikov, Hitachi Power Semiconductor pa se je strinjal, da bo razmislil o prenosu povezanih zmogljivosti in povezanih proizvodnih tehnologij za celotne sprednje in zadnje procese. Poleg tega bo Hitachi Power Semiconductor pomagal Sagar Semi pri usposabljanju svojih zaposlenih v Indiji in na Japonskem. V prihodnosti bo letna proizvodna zmogljivost tovarne dosegla 100 milijonov enot. Podjetji se bosta osredotočili na razvoj po meri izdelanih močnostnih polprevodniških rešitev, kot je SiC/IGBT za nastajajoče tehnologije v Indiji, s poudarkom na panogah, kot so bela tehnika, rešitve za shranjevanje energije in železnice.