Hitachi и Sagar Semi постигнаха сътрудничество за съвместно разработване на SiC/IGBT и други устройства

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), дъщерно дружество на Hitachi Group, подписа споразумение за сътрудничество с индийската Sagar Semiconductors (Sagar Semi) за съвместно извършване на изследвания, разработки и продажби на устройства с висока мощност като IGBT и SiC, както и технологичен трансфер на високоволтови диоди. Sagar Semi планира да изгради фабрика за високоволтови силови полупроводници, а Hitachi Power Semiconductor се съгласи да обмисли прехвърлянето на свързани съоръжения и свързани производствени технологии за целия преден и бек-енд процеси. Освен това Hitachi Power Semiconductor ще помогне на Sagar Semi да обучи своите служители в Индия и Япония. В бъдеще годишният производствен капацитет на фабриката ще достигне 100 милиона единици. Двете компании ще се фокусират върху разработването на индивидуални силови полупроводникови решения като SiC/IGBT за нововъзникващи технологии в Индия, като се фокусират върху индустрии като бяла техника, решения за съхранение на енергия и железници.