Hitachi i Sagar Semi nawiązały współpracę w celu wspólnego opracowywania urządzeń SiC/IGBT i innych

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), spółka zależna Grupy Hitachi, podpisała umowę o współpracy z indyjską firmą Sagar Semiconductors (Sagar Semi) w celu wspólnego prowadzenia badań, rozwoju i sprzedaży urządzeń dużej mocy, takich jak IGBT i SiC, a także transfer technologii diod wysokiego napięcia. Sagar Semi planuje budowę fabryki półprzewodników mocy wysokiego napięcia, a Hitachi Power Semiconductor zgodziła się rozważyć przeniesienie powiązanych obiektów i technologii produkcyjnych dla wszystkich procesów front-end i back-end. Ponadto Hitachi Power Semiconductor pomoże także Sagar Semi w szkoleniu swoich pracowników w Indiach i Japonii. W przyszłości roczna zdolność produkcyjna fabryki osiągnie 100 milionów sztuk. Obie firmy skoncentrują się na opracowywaniu dostosowanych do indywidualnych potrzeb rozwiązań w zakresie półprzewodników mocy, takich jak SiC/IGBT, dla nowych technologii w Indiach, koncentrując się na branżach takich jak sprzęt AGD, rozwiązania w zakresie magazynowania energii i kolejnictwo.