Hitachi a Sagar Semi dosiahli spoluprácu na spoločnom vývoji SiC/IGBT a iných zariadení

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), dcérska spoločnosť Hitachi Group, podpísala dohodu o spolupráci s indickou spoločnosťou Sagar Semiconductors (Sagar Semi) na spoločné vykonávanie výskumu, vývoja a predaja vysokovýkonných zariadení, ako sú IGBT a SiC, ako aj prenos technológie vysokonapäťových diód. Sagar Semi plánuje postaviť továreň na výrobu vysokonapäťových energetických polovodičov a spoločnosť Hitachi Power Semiconductor súhlasila so zvážením presunu súvisiacich zariadení a súvisiacich výrobných technológií pre celý front-end a back-end procesy. Okrem toho bude Hitachi Power Semiconductor pomáhať spoločnosti Sagar Semi školiť svojich zamestnancov v Indii a Japonsku. V budúcnosti dosiahne ročná výrobná kapacita továrne 100 miliónov kusov. Obe spoločnosti sa zamerajú na vývoj na mieru šitých výkonových polovodičových riešení, ako je SiC/IGBT pre vznikajúce technológie v Indii, so zameraním na priemyselné odvetvia, ako je biela technika, riešenia skladovania energie a železnice.