Hitachi a Sagar Semi dosáhly spolupráce na společném vývoji SiC/IGBT a dalších zařízení

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), dceřiná společnost Hitachi Group, podepsala dohodu o spolupráci s indickou společností Sagar Semiconductors (Sagar Semi) za účelem společného provádění výzkumu, vývoje a prodeje vysoce výkonných zařízení, jako jsou IGBT a SiC, a také přenos technologie vysokonapěťových diod. Sagar Semi plánuje postavit továrnu na vysokonapěťové výkonové polovodiče a Hitachi Power Semiconductor souhlasila se zvážením převodu souvisejících zařízení a souvisejících výrobních technologií pro celý front-end a back-end procesy. Kromě toho bude Hitachi Power Semiconductor také pomáhat Sagar Semi školit své zaměstnance v Indii a Japonsku. V budoucnu dosáhne roční výrobní kapacita továrny 100 milionů kusů. Obě společnosti se zaměří na vývoj na míru šitých výkonových polovodičových řešení, jako je SiC/IGBT pro nově vznikající technologie v Indii, se zaměřením na průmyslová odvětví, jako je bílé zboží, řešení pro skladování energie a železnice.