A Hitachi és a Sagar Semi együttműködik a SiC/IGBT és más eszközök közös fejlesztésében

A Hitachi Group leányvállalata, a Hitachi Power Semiconductor (HPSD) együttműködési megállapodást írt alá az indiai Sagar Semiconductors-szal (Sagar Semi), hogy közösen végezze el a nagy teljesítményű eszközök, például az IGBT és a SiC, valamint a a nagyfeszültségű diódák technológiaátadása. A Sagar Semi egy nagyfeszültségű teljesítmény-félvezetőgyár felépítését tervezi, a Hitachi Power Semiconductor pedig beleegyezett abba, hogy fontolja meg a kapcsolódó létesítmények és kapcsolódó gyártási technológiák átadását a teljes elő- és háttérfolyamathoz. Emellett a Hitachi Power Semiconductor Indiában és Japánban is segíti a Sagar Semi-t az alkalmazottak képzésében. A jövőben a gyár éves termelési kapacitása eléri a 100 millió darabot. A két vállalat személyre szabott teljesítmény-félvezető-megoldások, például SiC/IGBT fejlesztésére fog összpontosítani Indiában feltörekvő technológiákhoz, olyan iparágakra összpontosítva, mint a háztartási cikkek, az energiatárolási megoldások és a vasutak.