Hitachi та Sagar Semi досягли співпраці для спільної розробки SiC/IGBT та інших пристроїв

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), дочірня компанія Hitachi Group, підписала угоду про співпрацю з індійською компанією Sagar Semiconductors (Sagar Semi) для спільного проведення досліджень, розробки та продажу потужних пристроїв, таких як IGBT і SiC, а також передача технології високовольтних діодів. Sagar Semi планує побудувати фабрику високовольтних силових напівпровідників, а Hitachi Power Semiconductor погодилася розглянути питання про передачу пов’язаних потужностей і пов’язаних виробничих технологій для всіх початкових і внутрішніх процесів. Крім того, Hitachi Power Semiconductor також допоможе Sagar Semi навчати своїх співробітників в Індії та Японії. У майбутньому річна виробнича потужність заводу досягне 100 мільйонів одиниць. Дві компанії зосередяться на розробці індивідуальних силових напівпровідникових рішень, таких як SiC/IGBT, для нових технологій в Індії, зосереджуючись на таких галузях, як побутова техніка, рішення для зберігання енергії та залізниці.