Hitachi ja Sagar Semi on jõudnud koostööle, et arendada ühiselt SiC/IGBT ja muid seadmeid

Hitachi Groupi tütarettevõte Hitachi Power Semiconductor (HPSD) on sõlminud koostöölepingu India ettevõttega Sagar Semiconductors (Sagar Semi), et ühiselt teostada suure võimsusega seadmete, nagu IGBT ja SiC, uurimis- ja arendustegevust ning müüki. kõrgepinge dioodide tehnosiire. Sagar Semi kavatseb ehitada kõrgepingejõulise pooljuhtide tehase ning Hitachi Power Semiconductor on nõustunud kaaluma seotud rajatiste ja seotud tootmistehnoloogiate ülekandmist kogu esi- ja tagaotsa protsesside jaoks. Lisaks aitab Hitachi Power Semiconductor oma töötajaid ka Indias ja Jaapanis koolitada. Tulevikus ulatub tehase aastane tootmisvõimsus 100 miljoni ühikuni. Need kaks ettevõtet keskenduvad kohandatud jõupooljuhtlahenduste (nt SiC/IGBT) arendamisele Indias uute tehnoloogiate jaoks, keskendudes sellistele tööstusharudele nagu kodutarbed, energiasalvestuslahendused ja raudtee.