Hitachi và Sagar Semi đạt được hợp tác để cùng phát triển SiC/IGBT và các thiết bị khác

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), một công ty con của Tập đoàn Hitachi, đã ký thỏa thuận hợp tác với Công ty bán dẫn Sagar của Ấn Độ (Sagar Semi) để cùng thực hiện nghiên cứu, phát triển và kinh doanh các thiết bị công suất cao như IGBT và SiC, cũng như chuyển giao công nghệ điốt cao áp. Sagar Semi có kế hoạch xây dựng một nhà máy bán dẫn điện áp cao và Hitachi Power Semiconductor đã đồng ý xem xét chuyển giao cơ sở vật chất liên quan và công nghệ sản xuất liên quan cho toàn bộ quy trình mặt trước và mặt sau. Ngoài ra, Hitachi Power Semiconductor cũng sẽ giúp Sagar Semi đào tạo nhân viên của mình tại Ấn Độ và Nhật Bản. Trong tương lai, năng lực sản xuất hàng năm của nhà máy sẽ đạt 100 triệu chiếc. Hai công ty sẽ tập trung phát triển các giải pháp bán dẫn điện được thiết kế riêng như SiC/IGBT cho các công nghệ mới nổi ở Ấn Độ, tập trung vào các ngành công nghiệp như hàng điện tử, giải pháp lưu trữ năng lượng và đường sắt.