Hitachi และ Sagar Semi บรรลุความร่วมมือเพื่อร่วมกันพัฒนา SiC/IGBT และอุปกรณ์อื่นๆ

Hitachi Power Semiconductor (HPSD) ซึ่งเป็นบริษัทในเครือของ Hitachi Group ได้ลงนามข้อตกลงความร่วมมือกับ Sagar Semiconductors (Sagar Semi) ของอินเดีย เพื่อร่วมกันดำเนินการวิจัยและพัฒนาและจำหน่ายอุปกรณ์กำลังสูง เช่น IGBT และ SiC ตลอดจน การถ่ายทอดเทคโนโลยีไดโอดไฟฟ้าแรงสูง Sagar Semi วางแผนที่จะสร้างโรงงานเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแรงสูงและ Hitachi Power Semiconductor ได้ตกลงที่จะพิจารณาถ่ายโอนสิ่งอำนวยความสะดวกที่เกี่ยวข้องและเทคโนโลยีการผลิตที่เกี่ยวข้องสำหรับกระบวนการส่วนหน้าและส่วนหลังทั้งหมด นอกจากนี้ Hitachi Power Semiconductor จะช่วยฝึกอบรมพนักงานในอินเดียและญี่ปุ่น ในอนาคต กำลังการผลิตของโรงงานจะสูงถึง 100 ล้านหน่วยต่อปี ทั้งสองบริษัทจะมุ่งเน้นไปที่การพัฒนาโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์กำลังแบบสั่งทำพิเศษ เช่น SiC/IGBT สำหรับเทคโนโลยีเกิดใหม่ในอินเดีย โดยมุ่งเน้นไปที่อุตสาหกรรมต่างๆ เช่น สินค้าสีขาว โซลูชันกักเก็บพลังงาน และทางรถไฟ