Hitachi dan Sagar Semi telah mencapai kerja sama untuk bersama-sama mengembangkan SiC/IGBT dan perangkat lainnya

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), anak perusahaan Hitachi Group, telah menandatangani perjanjian kerja sama dengan Sagar Semiconductors (Sagar Semi) India untuk bersama-sama melakukan penelitian dan pengembangan serta penjualan perangkat berdaya tinggi seperti IGBT dan SiC, serta transfer teknologi dioda tegangan tinggi. Sagar Semi berencana membangun pabrik semikonduktor daya tegangan tinggi, dan Hitachi Power Semiconductor telah setuju untuk mempertimbangkan pengalihan fasilitas terkait dan teknologi manufaktur terkait untuk seluruh proses front-end dan back-end. Selain itu, Hitachi Power Semiconductor juga akan membantu Sagar Semi melatih karyawannya di India dan Jepang. Kedepannya, kapasitas produksi tahunan pabrik tersebut akan mencapai 100 juta unit. Kedua perusahaan akan fokus pada pengembangan solusi semikonduktor daya yang dibuat khusus seperti SiC/IGBT untuk teknologi baru di India, dengan fokus pada industri seperti barang putih, solusi penyimpanan energi, dan perkeretaapian.