هیتاچی و ساگار سمی برای توسعه مشترک SiC/IGBT و سایر دستگاه ها به همکاری رسیده اند

Hitachi Power Semiconductor (HPSD)، زیرمجموعه گروه Hitachi، قرارداد همکاری با شرکت نیمه هادی ساگار هند (Sagar Semi) برای انجام مشترک تحقیق و توسعه و فروش دستگاه های پرقدرت مانند IGBT و SiC و همچنین به امضا رساند. انتقال فناوری دیودهای ولتاژ بالا Sagar Semi قصد دارد یک کارخانه نیمه هادی برق ولتاژ بالا بسازد و Hitachi Power Semiconductor موافقت کرده است که تسهیلات مرتبط و فناوری های تولید مرتبط را برای کل فرآیندهای front-end و back-end در نظر بگیرد. علاوه بر این، Hitachi Power Semiconductor همچنین به Sagar Semi در آموزش کارکنان خود در هند و ژاپن کمک خواهد کرد. در آینده ظرفیت تولید سالانه این کارخانه به 100 میلیون دستگاه خواهد رسید. این دو شرکت بر روی توسعه راه‌حل‌های نیمه‌رسانای نیرو مانند SiC/IGBT برای فناوری‌های نوظهور در هند، با تمرکز بر صنایعی مانند کالاهای سفید، راه‌حل‌های ذخیره انرژی و راه‌آهن تمرکز خواهند کرد.