Hitachi ו-Sagar Semi הגיעו לשיתוף פעולה לפיתוח משותף של SiC/IGBT והתקנים אחרים

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), חברה בת של Hitachi Group, חתמה על הסכם שיתוף פעולה עם Sagar Semiconductors (Sagar Semi) ההודית לביצוע משותף של מחקר ופיתוח ומכירה של מכשירים בעלי הספק גבוה כגון IGBT ו-SiC, כמו גם העברת הטכנולוגיה של דיודות במתח גבוה. Sagar Semi מתכננת לבנות מפעל למוליכים למחצה במתח גבוה, ו-Hitachi Power Semiconductor הסכימה לשקול העברת מתקנים קשורים וטכנולוגיות ייצור קשורות עבור כל התהליכים הקדמיים והאחוריים. בנוסף, Hitachi Power Semiconductor תסייע גם ל-Sagar Semi להכשיר את עובדיה בהודו וביפן. בעתיד כושר הייצור השנתי של המפעל יגיע ל-100 מיליון יחידות. שתי החברות יתמקדו בפיתוח פתרונות מוליכים למחצה בהתאמה אישית כמו SiC/IGBT עבור טכנולוגיות מתפתחות בהודו, תוך התמקדות בתעשיות כמו מוצרים לבנים, פתרונות אחסון אנרגיה ומסילות רכבת.