Hitachi en Sagar Semi het 'n samewerking bereik om SiC/IGBT en ander toestelle gesamentlik te ontwikkel

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), 'n filiaal van Hitachi Group, het 'n samewerkingsooreenkoms met Indië se Sagar Semiconductors (Sagar Semi) onderteken om gesamentlik die navorsing en ontwikkeling en verkope van hoëkragtoestelle soos IGBT en SiC uit te voer, asook die tegnologie-oordrag van hoëspanningdiodes. Sagar Semi beplan om 'n hoë-spanning krag halfgeleier fabriek te bou, en Hitachi Power Semiconductor het ingestem om die oordrag van verwante fasiliteite en verwante vervaardigingstegnologieë vir die hele front-end en back-end prosesse te oorweeg. Daarbenewens sal Hitachi Power Semiconductor Sagar Semi ook help om sy werknemers in Indië en Japan op te lei. In die toekoms sal die jaarlikse produksievermoë van die fabriek 100 miljoen eenhede bereik. Die twee maatskappye sal fokus op die ontwikkeling van pasgemaakte kraghalfgeleieroplossings soos SiC/IGBT vir opkomende tegnologieë in Indië, met die fokus op nywerhede soos witgoedere, energiebergingsoplossings en spoorweë.