Hitachi ha Sagar Semi ohupyty joaju omoheñói haguã oñondive SiC/IGBT ha ambue tembipuru

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), filial Hitachi Group, ofirma peteî acuerdo de cooperación India-gua Sagar Semiconductors (Sagar Semi) ndive omotenondévo oñondive investigación ha desarrollo ha venta umi dispositivo de alta potencia ha'eháicha IGBT ha SiC, avei pe tecnología ñembohasa umi diodo alta tensión rehegua. Sagar Semi oreko plan omopu'ãvo fábrica semiconductor de potencia alta tensión, ha Hitachi Power Semiconductor omonéî ohesa'ÿijo haguã ombohasávo instalaciones ojoajúva ha tecnologías de fabricación ojoajúva opavave proceso front-end ha back-end. Avei, Hitachi Power Semiconductor oipytyvõta avei Sagar Semi ombokatupyry haguã imba'apohára India ha Japón-pe Amo gotyove, capacidad de producción anual fábrica oguahëta 100 millones de unidades. Ko'ã mokõi empresa oñecentráta omoheñóivo soluciones semiconductores de potencia a medida ha'eháicha SiC/IGBT umi tecnología emergente India-pe, ojesarekóva industria ha'eháicha bienes blancos, soluciones de almacenamiento energía ha ferrocarril.