英飛凌計劃推出400V低壓SiC MOSFET

近期，英飛凌宣布將推出一款400V低壓SiC MOSFET，旨在與傳統Si和GaN功率半導體競爭，並擴大市場份額。儘管業界對此表示驚訝，因為先前未有企業開發類似產品，但英飛凌仍致力於解決相關技術難題，如通道電阻、短路控制、柵極氧化等。