Infineon planeja lançar SiC MOSFET de baixa tensão de 400V

Recentemente, a Infineon anunciou que lançará um SiC MOSFET de baixa tensão de 400 V, com o objetivo de competir com os tradicionais semicondutores de potência de Si e GaN e expandir a participação no mercado. Embora a indústria tenha ficado surpresa com isso porque nenhuma empresa desenvolveu produtos similares antes, a Infineon ainda está comprometida em resolver problemas técnicos relacionados, como resistência do canal, controle de curto-circuito, oxidação da porta, etc.