Infineon ætlar að setja á markað 400V lágspennu SiC MOSFET

Nýlega tilkynnti Infineon að það muni setja á markað 400V lágspennu SiC MOSFET, sem miðar að því að keppa við hefðbundna Si og GaN kraft hálfleiðara og auka markaðshlutdeild. Þrátt fyrir að iðnaðurinn hafi verið hissa á þessu vegna þess að ekkert fyrirtæki hefur þróað svipaðar vörur áður, hefur Infineon enn skuldbundið sig til að leysa tengd tæknileg vandamál, svo sem rásþol, skammhlaupsstýringu, hliðaroxun osfrv.