Infineon planea lanzar MOSFET de SiC de bajo voltaje de 400 V

Recientemente, Infineon anunció que lanzará un MOSFET de SiC de bajo voltaje de 400 V, con el objetivo de competir con los semiconductores de potencia tradicionales de Si y GaN y ampliar su participación de mercado. Aunque esto sorprendió a la industria porque ninguna empresa había desarrollado productos similares antes, Infineon todavía está comprometida a resolver problemas técnicos relacionados, como resistencia de canal, control de cortocircuitos, oxidación de compuerta, etc.