Infineon plangt 400V Low-Volt SiC MOSFET ze lancéieren

Viru kuerzem huet Infineon ugekënnegt datt et e 400V Low-Voltage SiC MOSFET lancéiert, fir mat traditionelle Si a GaN Kraaft Hallefleit ze konkurréiere an den Maartundeel auszebauen. Och wann d'Industrie iwwerrascht ass, well keng Firma virdrun ähnlech Produkter entwéckelt huet, ass Infineon ëmmer nach engagéiert fir verbonne technesch Problemer ze léisen, wéi Kanalresistenz, Kuerzschlusskontrolle, Gateoxidatioun, asw.