Η Infineon σχεδιάζει να λανσάρει SiC MOSFET χαμηλής τάσης 400V

Πρόσφατα, η Infineon ανακοίνωσε ότι θα κυκλοφορήσει ένα SiC MOSFET χαμηλής τάσης 400 V, με στόχο να ανταγωνιστεί τους παραδοσιακούς ημιαγωγούς ισχύος Si και GaN και να επεκτείνει το μερίδιο αγοράς. Αν και ο κλάδος εξεπλάγη από αυτό επειδή καμία εταιρεία δεν έχει αναπτύξει παρόμοια προϊόντα στο παρελθόν, η Infineon εξακολουθεί να δεσμεύεται να επιλύει σχετικά τεχνικά προβλήματα, όπως αντίσταση καναλιών, έλεγχος βραχυκυκλώματος, οξείδωση πύλης κ.λπ.