Az Infineon 400 V-os kisfeszültségű SiC MOSFET bevezetését tervezi

A közelmúltban az Infineon bejelentette, hogy piacra dob egy 400 V-os kisfeszültségű SiC MOSFET-et, amelynek célja, hogy versenyezzen a hagyományos Si és GaN teljesítmény-félvezetőkkel, és növelje piaci részesedését. Bár az iparág meglepődik ezen, mert még egyetlen cég sem fejlesztett ki hasonló termékeket, az Infineon továbbra is elkötelezett a kapcsolódó műszaki problémák megoldásában, mint például a csatornaellenállás, a rövidzárlat-szabályozás, a kapu oxidációja stb.