Infineon có kế hoạch ra mắt MOSFET SiC điện áp thấp 400V

Gần đây, Infineon tuyên bố sẽ ra mắt MOSFET SiC điện áp thấp 400V, nhằm cạnh tranh với các chất bán dẫn điện Si và GaN truyền thống và mở rộng thị phần. Mặc dù ngành rất ngạc nhiên về điều này vì trước đây chưa có công ty nào phát triển sản phẩm tương tự nhưng Infineon vẫn cam kết giải quyết các vấn đề kỹ thuật liên quan như điện trở kênh, điều khiển ngắn mạch, oxy hóa cổng, v.v.