Infineon 400V aşağı gərginlikli SiC MOSFET-i işə salmağı planlaşdırır

Bu yaxınlarda Infineon ənənəvi Si və GaN güc yarımkeçiriciləri ilə rəqabət aparmaq və bazar payını genişləndirmək məqsədi ilə 400V aşağı gərginlikli SiC MOSFET-i işə salacağını açıqladı. Heç bir şirkət əvvəllər oxşar məhsullar hazırlamadığı üçün sənaye buna təəccüblənsə də, Infineon hələ də kanal müqaviməti, qısaqapanmaya nəzarət, qapıların oksidləşməsi və s. kimi əlaqəli texniki problemləri həll etməyə sadiqdir.