Keyou Semiconductors gjennombrudd innen 8-tommers silisiumkarbid
Yijing teknologi
Saida Semiconductor
Krystalloptoelektronikk
8 tommer
C-pilot
De
Semi
De
tomme
produksjon
Keyou Semiconductor
design
tall
substrat
år
SiC
2022
2023
2024-12-25 23:26
54
I desember 2022 produserte Keyou Semiconductor enkeltkrystaller av silisiumkarbid med en diameter på mer enn 8 tommer gjennom en egendesignet og produsert motstandskrystallvekstovn, og ble med i rekken av 8-tommers silisiumkarbid for første gang. Deretter ble 8-tommers SiC-pilotlinjen offisielt ferdigstilt i april 2023, og den første batchen av egenproduserte 8-tommers silisiumkarbidsubstrater ble rullet av produksjonslinjen i september samme år.
