„Xinli Semiconductor“ užbaigė A serijos finansavimą ir masiškai pagamino 1200 V 80 miliohm silicio karbido MOS

„Shanghai Xinli Semiconductor Technology Co., Ltd.“ neseniai baigė A serijos finansavimą. Konkreti suma nebuvo atskleista. Bendrovė daugiausia dėmesio skiria galios puslaidininkinių lustų projektavimui ir sėkmingai masiškai gamina įvairius gaminius, įskaitant 650 V IGBT gaminius, 30 V SGT MOS ir 1200 V 80 miliohm silicio karbido MOS.