Tota collocatio Technologiae SiC Nuotian propositi CL decies centena milia exspectatur et in productione finis anni destinatur.

Zhuzhou High-tech Zona maiora incepta plene promovet, in iis notianam Technologiam SiC project. Proiectum, cum tota obsidione 150 decies centena milia Yuan, in urbe Tianyi Scientiae et Technologiae sita est, et elaborationem carbidi siliconis investigationis et progressus, profunde processus, et carbide substratum summus puritatis pii. Negotium Technologiae Nuo Tian tantum super mensem suscepit a subscriptione contractus ad obtinendam terram, et expectatur ad productionem fine anni faciendam.